ategoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 80 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 2 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 16 V, + 16 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg – Carga na porta: 140 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd – Dissipação de potência: 136 W
Modo de canal: Enhancement
Qualificação: AEC-Q101
Nome comercial: OptiMOS
Embalagem: Reel
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 13 ns
Altura: 4.4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 9 ns
Série: OptiMOS-T2
7000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 62 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 14 ns
Largura: 9.25 mm