Categoria de produto: Transistores IGBT
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Single
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 2.05 V
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Pd – Dissipação de potência: 483 W
Temperatura operacional mínima: – 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: Trenchstop IGBT4
Embalagem: Tube
Marca: Infineon Technologies
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 80 A
Corrente de dispersão do gate – emissor: 600 nA