bricante: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 1.6 V
Tensão do emissor do gate máxima: 30 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 58 A
Pd – Dissipação de potência: 194 W
Temperatura operacional mínima: – 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: RGTH60TS65
Embalagem: Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 30 A
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 58 A
Corrente de dispersão do gate – emissor: +/- 200 nA
Faixa de temperatura operacional: – 40 C to + 175 C
Tipo de Produto: IGBT Transistors
450
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: RGTH60TS65D
Peso unitário: 2 g