Categoria de produto: Transistores bipolares de junção – BJT
RoHS: Detalhes
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 125 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 200 V
Emissor – VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 900 mV
Corrente do coletor DC máxima: 70 A
Pd – Dissipação de potência: 200 W
Temperatura operacional mínima: – 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BUT70W
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Altura: 20.15 mm
Comprimento: 15.75 mm
Tipo de Produto: BJTs – Bipolar Transistors
600
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: Si
Largura: 5.15 mm