Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
150 V
Corrente – Dreno contínuo (Id) a 25°C
26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
42mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,8V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1760 pF @ 75 V
Característica FET
–
Dissipação de potência (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA