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FQD7N10LTM Transístor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,67A; 25W; DPAK

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FQD7N10LTM Transístor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,67A; 25W; DPAK

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Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: DPAK-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 5.8 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 350 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg – Carga na porta: 6 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd – Dissipação de potência: 2.5 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Reel
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Single
Tempo de queda: 50 ns
Transcondutância em avanço – Mín: 4.6 S
Altura: 2.39 mm
Comprimento: 6.73 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 100 ns

REF: FQD7N10LTM Categoria:

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Produto: FQD7N10LTM FQD7N10LTM Transístor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,67A; 25W; DPAK

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