Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 50 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 4.2 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg – Carga na porta: 31 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd – Dissipação de potência: 68 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS 3
Embalagem: Reel
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 3.8 ns
Transcondutância em avanço – Mín: 38 S
Altura: 2.3 mm
Comprimento: 6.5 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 13 ns
2500
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 25 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 6.7 ns
Largura: 6.22 mm
Aliases de núm de peça: SP000680630 IPD5N3LGXT IPD050N03LGATMA1