Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-251-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 700 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 12.5 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 300 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 16 V, + 16 V
Tensão de limite porta e fonte: 2.5 V
Qg – Carga na porta: 16.4 nC
Temperatura operacional mínima: – 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd – Dissipação de potência: 59.5 W