Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 20.2 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 171 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3.5 V
Qg – Carga na porta: 37 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd – Dissipação de potência: 151 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: CoolMOS
Série: CoolMOS P6
Embalagem: Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 7 ns
Altura: 21.1 mm
Comprimento: 16.13 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
240
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 45 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 15 ns