Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 79 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 7.5 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg – Carga na porta: 46 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd – Dissipação de potência: 110 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4.4 mm
Peso unitário: 2 g