Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 8 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 440 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 25 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg – Carga na porta: 15 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd – Dissipação de potência: 25 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: MDmesh
Série: STF10N60DM2
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Single
Tempo de queda: 11.5 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 5 ns
1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 28 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 11 ns