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Fabricante
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STMicroelectronics | |
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Tipo de transístor
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N-MOSFET | |
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Tecnologia
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SuperMesh™ | |
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Polarização
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unipolar | |
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Tensão dreno-fonte
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600V | |
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Corrente de dreno
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4.4A | |
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Potência dissipada
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125W | |
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Carcaça
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TO220-3 | |
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Tensão porta-fonte
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±30V | |
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Resistência no estado de condução
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950mΩ | |
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Montagem
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THT | |
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Espécie de embalagem
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tubo | |
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Espécie de canal
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enriquecido | |
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Propriedades de dispositivos semicondutores
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ESD protected gate |
Peso bruto1.867 g


