ESPECIFICAÇÃO:

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SuperMesh™
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
4.4A
Potência dissipada
125W
Carcaça
TO220-3
Tensão porta-fonte
±30V
Resistência no estado de condução
950mΩ
Montagem
THT
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
ESD protected gate
Peso bruto1.867 g
REF: STP9NK60Z Categoria:

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Produto: STP9NK60Z STP9NK60Z TRANSISTOR MOS-N-FET

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