Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
SuperMesh™

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
900V

Corrente de dreno
9.5A

Potência dissipada
350W

Carcaça
TO247

Tensão porta-fonte
±30V

Resistência no estado de condução
400mΩ

Montagem
THT

Espécie de embalagem
tubo

Espécie de canal
enriquecido

Propriedades de dispositivos semicondutores
ESD protected gate