Fabricante: ST Microelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Estilo de montagem: Através do orifício
Polaridade do Transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds (tensão de separação dreno-fonte): 500 V
Id: Corrente de drenagem contínua: 60 A
Rds On (Fonte Draw On Resistance): 50 mOhms
Vgs (tensão de porta-fonte): - 30 V, + 30 V
Vgs th (tensão limite de porta-fonte): 3 V
Qg (carga do portão): 266 nC
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd (dissipação de energia): 560 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: MDmesh
Série: STY60NM50
Marca: ST Microelectronics
Configuração: Único
Tempo de queda: 46ns
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de acomodação: 58ns
150
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Tempo de atraso de conexão típico: 51 ns