Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
HEXFET®

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
55V

Corrente de dreno
80A

Potência dissipada
200W

Carcaça
TO220AB

Tensão porta-fonte
±20V

Resistência no estado de condução
8mΩ

Montagem
THT

Carga da porta
146nC

Espécie de embalagem
tubo

Espécie de canal
enriquecido