Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
HEXFET®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
55V
Corrente de dreno
80A
Potência dissipada
200W
Carcaça
TO220AB
Tensão porta-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
8mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
146nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
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