Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SuperMesh™
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
4.4A
Potência dissipada
30W
Carcaça
TO220FP
Tensão porta-fonte
±30V
Resistência no estado de condução
950mΩ
Montagem
THT
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
ESD protected gate
Transístores
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STP9NK60ZFP TRANSISTOR MOS-N-FET ISOLADO
Disponibilidade: Disponível sob encomenda
Prazo 3 a 5 dias úteis
STP9NK60ZFP TRANSISTOR MOS-N-FET ISOLADO
€3,38PVP Física
€3,17 c/ IVAONLINE
Disponível sob encomenda

