Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 4.5 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 1.38 Ohms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 25 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg – Carga na porta: 9 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Pd – Dissipação de potência: 30 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: UniFET
Embalagem: Tube
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Single
Transcondutância em avanço – Mín: 3.54 S
Altura: 16.07 mm
Comprimento: 10.36 mm
Tipo de Produto: MOSFET