Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 30 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 113 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3.5 V
Qg – Carga na porta: 56 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd – Dissipação de potência: 34 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: CoolMOS
Embalagem: Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Altura: 16.15 mm
Comprimento: 10.65 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 9 ns