Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id – Corrente de drenagem contínua: 85 A
Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 8.5 mOhms
Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg – Carga na porta: 160 nC
Temperatura operacional mínima: – 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd – Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: TrenchFET
Série: SUP